平面低电感封装技术（E）为大电流IGT模块的有源器件提供了高效能的解决方案。这种技术被广泛应用于舰艇上的导弹发射装置中，旨在提高系统效率。通过采用共烧瓷片多芯片模块技术（IEM）组装E，电路接线电感得到显著降低，从而提升了整体系统的性能。
IEM技术通过将无源元件以埋层方式掩埋在衬底中，实现了第二代IEM的开发。这种创新设计不仅优化了电路布局，还进一步降低了电感，提高了模块的性能和可靠性。
智能化和模块化已成为IGT发展的热点。随着技术的进步，大电流高电压的IGT已实现模块化，其驱动电路的设计也更加精巧，使得IGT模块在变频器、US不间断电源等设备上的应用更加广泛。
IGT模块是由IGT芯片与续流二极管芯片（FWD）通过精心设计的电路桥接并封装而成的模块化半导体产品。模块内部包含IGT芯片、续流二极管芯片、陶瓷覆铜板（DC板）、散热底板、电极端子、键合线、硅凝胶、C板以及外壳等部分。
根据功率大小，IGT可以分为分立器件和模块。分立器件可以直接焊接在C上，封装有to247-3、-4等，通常只包含一个芯片，也称为单管。而IGT模块功率较大，内部由多个IGT芯片串、并联组成，可以通过焊接、压接或螺栓固定外部端子。当所有芯片只是并联时，也能实现一个IGT的功能。
IGT单管是指只包含一个IGT芯片的器件，是最基本的封装形式。而IGT模块则是将多个IGT单管和其他辅助元件集成在一起，形成具有更高功率和更复杂功能的模块化产品。
IGT模块在电力电子领域有着广泛的应用，包括变频器、US不间断电源、电动汽车、工业控制、电力传输等领域。其模块化设计使得安装和更换更加便捷，提高了系统的可靠性和效率。
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